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    去年12月11-13日，日本半导体展（SEmIcoNJapan）召开，ASmL正式推出浸没式光刻机的原型机，在ASmL的实验室验证其制程工艺达到65nm，宣称拥有完全自主知识产权。

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    “董事长，ASmL向世界专利局申请的浸没式光源系统的公司发明专利，被bSEc提起了专利异议，其中134nm激光光源使用纯净水作为浸没介质的技术路径，侵犯了bSEc还在申请之中的浸没式光源系统专利，一旦侵权成立，ASmL提出的浸没式光源系统专利申请就会被停止，即使能得到bSEc的专利授权，也要等bSEc拿到浸没式光源系统专利，xt1400i浸没式光刻机的量产将会无限期延长。”

    林本坚接到ASmL总裁普拉多的电话后，心里一沉，立马向张仲谋汇报。

    台积电去年7月就向ASmL预定了20台65nm制程工艺的浸没式光刻机（命名为xt1400i浸没式光刻机）的同时，为了赶时间，一条65nm制程工艺半导体生产线的基建工作就开始建设，xt1400i浸没式光刻机原计划今年三月开始生产，8月就能到货，进入设备安装阶段，明年3月就能试生产，只比其他采用65nm制程工艺的bSEc浸没式光刻机半导体生产线晚半年左右。

    “浸没原理不是林工2002年在布鲁塞尔举行的157nm微影技术的研讨会提出来的吗？ArF激光器发射的193nm光源通过纯净水的折射，得到了波长134nm的光源，如今大家都知道纯净水作为光源介质的路径，bSEc什么时候申请浸没式光源系统专利的？”

    张仲谋面色阴沉，立马认识到了问题的严重性，计划投资18亿美元提前开工的半导体生产线遇到大麻烦了！

    国际公司发明专利申请一般需要18个月的时间，一旦bSEc不给ASmL授权，ASmL需要重新寻找新的浸没介质替代纯净水，一年内很难完成研制，等拿到公司发明专利，也许bSEc的40nm浸没式光刻机都研发成功了。

    张仲谋心里明白，等林本坚和ASmL发现bSEc申请了纯净水作为浸没介质的专利已经来不及了，只能硬着头皮继续研究，等有结果后再说。

    （本章完）

    　　


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